BUK7Y25-60E/GFX
참조 용
| 부품 번호 | BUK7Y25-60E/GFX |
| PNEDA 부품 번호 | BUK7Y25-60E-GFX |
| 설명 | MOSFET N-CH LFPAK |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,856 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK7Y25-60E/GFX 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK7Y25-60E/GFX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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BUK7Y25-60E/GFX 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | * |
| FET 유형 | - |
| 기술 | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.6Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 750pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 75W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-220SM 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 SENSEFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15.2A (Ta), 149A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3.2V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 85nC @ 11.5V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4830pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SO-8FL 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ II FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33.3nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 983pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 30W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220FP 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
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