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BUK7Y43-60EX

BUK7Y43-60EX

참조 용

부품 번호 BUK7Y43-60EX
PNEDA 부품 번호 BUK7Y43-60EX
설명 MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK
제조업체 Nexperia
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK7Y43-60EX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK7Y43-60EX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BUK7Y43-60EX, BUK7Y43-60EX 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 726.91 KB)
PDFBUK7Y43-60EX 데이터 시트 표지
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BUK7Y43-60EX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs43mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10.4nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds617pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)45W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지LFPAK56, Power-SO8
패키지 / 케이스SC-100, SOT-669

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

185mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2340pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

210W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

89mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

350nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9160pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1785W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PLUS264™

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

SIR690DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

ThunderFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

34.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1935pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

IRF9388TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 12A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1680pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

EPC2016C

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 11A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 5V

Vgs (최대)

+6V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

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