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BUK9K35-60E,115

BUK9K35-60E,115

참조 용

부품 번호 BUK9K35-60E,115
PNEDA 부품 번호 BUK9K35-60E-115
설명 MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D
제조업체 Nexperia
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BUK9K35-60E 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK9K35-60E,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
BUK9K35-60E, BUK9K35-60E 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 732.12 KB)
PDFBUK9K35-60E 데이터 시트 표지
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BUK9K35-60E 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs32mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs14.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1081pF @ 25V
전력-최대38W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-1205, 8-LFPAK56
공급자 장치 패키지LFPAK56D

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제조업체

ON Semiconductor

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 4.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1325pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

MCMP06-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

480pF @ 15V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN2020-6U

FDC6000NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

840pF @ 10V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6 FLMP

IPG20N10S436AATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 16µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

990pF @ 25V

전력-최대

43W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

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FET 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

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6800pF @ 100V

전력-최대

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