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BUK9MFF-65PSS,518

BUK9MFF-65PSS,518

참조 용

부품 번호 BUK9MFF-65PSS,518
PNEDA 부품 번호 BUK9MFF-65PSS-518
설명 9605 AUTO TRENCH PLUS
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 8,640
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 20 - 1월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK9MFF-65PSS 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK9MFF-65PSS,518
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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BUK9MFF-65PSS 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈TrenchPLUS
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)65V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13.6A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs12.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs40.2nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3052pF @ 25V
전력-최대4.75W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지20-SO

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1810pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

CSD87384MT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 15V

전력-최대

8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-LGA

공급자 장치 패키지

5-PTAB (5x3.5)

FDMD8260L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5245pF @ 30V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

12-Power3.3x5

US6K4TR

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

TUMT6

ALD114835SCL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

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FET 유형

4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

Depletion Mode

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540Ohm @ 0V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.45V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

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