BUK9MTT-65PBB,518
참조 용
| 부품 번호 | BUK9MTT-65PBB,518 |
| PNEDA 부품 번호 | BUK9MTT-65PBB-518 |
| 설명 | 9605 AUTO TRENCH PLUS |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,922 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK9MTT-65PBB 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK9MTT-65PBB,518 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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BUK9MTT-65PBB 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchPLUS |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 65V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.8A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 90.4mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.3nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 535pF @ 25V |
| 전력-최대 | 3.15W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 20-SO |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.7A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 36nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 740pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 50nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
