BUK9Y7R2-60E,115
참조 용
| 부품 번호 | BUK9Y7R2-60E,115 |
| PNEDA 부품 번호 | BUK9Y7R2-60E-115 |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,544 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK9Y7R2-60E 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK9Y7R2-60E,115 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BUK9Y7R2-60E 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 35nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5026pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 167W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 패키지 / 케이스 | SC-100, SOT-669 |
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18.9nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1334pF @ 12V FET 기능 Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대) 65W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 140µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 176nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 188W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO262-3 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
