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BYG23M M2G

BYG23M M2G

참조 용

부품 번호 BYG23M M2G
PNEDA 부품 번호 BYG23M-M2G
설명 DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 8,622
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYG23M M2G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYG23M M2G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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BYG23M M2G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)-
전류-평균 정류 (Io)1.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 1.5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)65ns
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC (SMA)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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GeneSiC Semiconductor

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Schottky, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

JANTXV1N5614

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/427

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

A, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-65°C ~ 200°C

1N4004GPP TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

NSHS05A065

Kyocera

제조업체

Kyocera International Inc. Electronic Components

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

65V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

640mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 65V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

nSMC

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

VS-10BQ040-M3/5BT

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

115pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

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