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BYM07-200HE3_A/H

BYM07-200HE3_A/H

참조 용

부품 번호 BYM07-200HE3_A/H
PNEDA 부품 번호 BYM07-200HE3_A-H
설명 DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,946
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 11 - 1월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYM07-200HE3_A/H 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYM07-200HE3_A/H
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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  • BYM07-200HE3_A/H Distributor

BYM07-200HE3_A/H 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)500mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 500mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F7pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AA (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AA (GL34)
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속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

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커패시턴스 @ Vr, F

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

830mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

55µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

150pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

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DFLS1100Q-7

Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

860mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

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