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BYM12-100-E3/97

BYM12-100-E3/97

참조 용

부품 번호 BYM12-100-E3/97
PNEDA 부품 번호 BYM12-100-E3-97
설명 DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,598
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYM12-100-E3/97 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYM12-100-E3/97
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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BYM12-100-E3/97 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈SUPERECTIFIER®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F20pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AB
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

150°C (Max)

SDM02U30CSP-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 0.5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

X3-WLB0603-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

IDW75E60FKSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

120A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2V @ 75A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

121ns

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

V20PWM12-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.02V @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 120V

커패시턴스 @ Vr, F

1350pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

SlimDPAK

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

1N8026-GA

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

8A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.6V @ 2.5A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

237pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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