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BYM12-200HE3_A/H

BYM12-200HE3_A/H

참조 용

부품 번호 BYM12-200HE3_A/H
PNEDA 부품 번호 BYM12-200HE3_A-H
설명 DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,326
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYM12-200HE3_A/H 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYM12-200HE3_A/H
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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  • BYM12-200HE3_A/H Distributor

BYM12-200HE3_A/H 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F20pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AB, MELF (Glass)
공급자 장치 패키지DO-213AB
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

600mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 600mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

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SF805G C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SS8P3LHM3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

330pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

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