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BYT51A-TAP

BYT51A-TAP

참조 용

부품 번호 BYT51A-TAP
PNEDA 부품 번호 BYT51A-TAP
설명 DIODE AVALANCHE 50V 1.5A SOD57
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,516
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYT51A-TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYT51A-TAP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BYT51A-TAP, BYT51A-TAP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 133.05 KB)
PDFBYT51M-TR 데이터 시트 표지
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BYT51A-TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)1.5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)4µs
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스SOD-57, Axial
공급자 장치 패키지SOD-57
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Powerex Inc.

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

800A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.65V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AB, B-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AB, B-PUK

작동 온도-접합

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시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

8000V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

8V @ 6A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 8000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BYW72-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-64, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-64

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

VS-30WQ04FNTRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

3.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

530mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

189pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

S85VR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1400V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 85A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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