BYT51D-TAP
참조 용
| 부품 번호 | BYT51D-TAP |
| PNEDA 부품 번호 | BYT51D-TAP |
| 설명 | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SOD57 |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,884 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BYT51D-TAP 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BYT51D-TAP |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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- BYT51D-TAP Distributor
BYT51D-TAP 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Avalanche |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1.5A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 1A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 4µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | SOD-57, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | SOD-57 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 6500V 전류-평균 정류 (Io) 1220A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 5.6V @ 2500A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100mA @ 6500V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AD 공급자 장치 패키지 - 작동 온도-접합 0°C ~ 140°C |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1200V 전류-평균 정류 (Io) 25A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.97V @ 25A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 1200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Sawn on foil 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 660mV @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 3.5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerDI™ 5 공급자 장치 패키지 PowerDI™ 5 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 STEALTH™ II 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 3.4V @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 32ns 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-2 공급자 장치 패키지 TO-220-2L 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 840mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 6.7ns 전류-역방향 누설 @ Vr 300nA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 2-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 TUMD2M 작동 온도-접합 150°C (Max) |
