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BYT52G-TAP

BYT52G-TAP

참조 용

부품 번호 BYT52G-TAP
PNEDA 부품 번호 BYT52G-TAP
설명 DIODE AVALANCHE 400V 1.4A SOD57
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,608
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYT52G-TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYT52G-TAP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BYT52G-TAP, BYT52G-TAP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 131.27 KB)
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  • BYT52G-TAP Distributor

BYT52G-TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)1.4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)200ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스SOD-57, Axial
공급자 장치 패키지SOD-57
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

4.3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

660mV @ 12A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

GP2D050A120B

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

Amp+™

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

50A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 50A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

3174pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

CDLL5818

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

0.9pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

GATELEAD28134XPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

SICR10650

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

695pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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