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BYT53D-TR

BYT53D-TR

참조 용

부품 번호 BYT53D-TR
PNEDA 부품 번호 BYT53D-TR
설명 DIODE AVALANCHE 200V 1.9A SOD57
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,438
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYT53D-TR 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYT53D-TR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BYT53D-TR, BYT53D-TR 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 132.96 KB)
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BYT53D-TR 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)1.9A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스SOD-57, Axial
공급자 장치 패키지SOD-57
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AA (DO-4)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

390mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

BYT53C-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

1.9A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-57, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-57

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

PFF4

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

700mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.5V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

R3580

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

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