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BYV32EB-200PQ

BYV32EB-200PQ

참조 용

부품 번호 BYV32EB-200PQ
PNEDA 부품 번호 BYV32EB-200PQ
설명 DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK
제조업체 WeEn Semiconductors
단가 견적 요청
재고 있음 8,226
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYV32EB-200PQ 리소스

브랜드 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYV32EB-200PQ
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
BYV32EB-200PQ, BYV32EB-200PQ 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 376.21 KB)
PDFBYV32EB-200PJ 데이터 시트 표지
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  • BYV32EB-200PQ Distributor

BYV32EB-200PQ 사양

제조업체WeEn Semiconductors
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)20A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.15V @ 20A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)25ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 200V
작동 온도-접합150°C (Max)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

25A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.55V @ 75A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 30V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

VS-203CNQ100PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

860mV @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 100V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

TO-244AB

공급자 장치 패키지

TO-244AB

D16-4148E3/TU

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 구성

8 Independent

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 100mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

16-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

16-DIP

MBRS25100CT MNG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 25A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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