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BYV410X-600,127

BYV410X-600,127

참조 용

부품 번호 BYV410X-600,127
PNEDA 부품 번호 BYV410X-600-127
설명 DIODE ARRAY UF 600V 10A TO220-3
제조업체 WeEn Semiconductors
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYV410X-600 리소스

브랜드 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYV410X-600,127
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
BYV410X-600, BYV410X-600 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 248.9 KB)
PDFBYV410X-600 데이터 시트 표지
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BYV410X-600 사양

제조업체WeEn Semiconductors
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)10A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.1V @ 10A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 600V
작동 온도-접합150°C (Max)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지TO-220-3

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 40V

작동 온도-접합

125°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-553

공급자 장치 패키지

ESV

BAS28WE6327BTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 75V

작동 온도-접합

150°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

PG-SOT343-4

UFT14280

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

70A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.35V @ 70A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 800V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Screw Mount

패키지 / 케이스

TO-249AA Isolated Base

공급자 장치 패키지

TO-249

MUR30010CT

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

300A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

90ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

CDBD2080-HF

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

20A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 80V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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