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BYV415K-600PQ

BYV415K-600PQ

참조 용

부품 번호 BYV415K-600PQ
PNEDA 부품 번호 BYV415K-600PQ
설명 DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P
제조업체 WeEn Semiconductors
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재고 있음 7,470
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BYV415K-600PQ 리소스

브랜드 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYV415K-600PQ
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
BYV415K-600PQ, BYV415K-600PQ 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 228.35 KB)
PDFBYV415K-600PQ 데이터 시트 표지
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BYV415K-600PQ 사양

제조업체WeEn Semiconductors
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.1V @ 15A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)45ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 200A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

180ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 400V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 40V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Powerex Inc.

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다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

1100A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 3000A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

22µs

전류-역방향 누설 @ Vr

200mA @ 1200V

작동 온도-접합

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POW-R-BLOK™ Module

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 25A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 90V

작동 온도-접합

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