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BYW36-TR

BYW36-TR

참조 용

부품 번호 BYW36-TR
PNEDA 부품 번호 BYW36-TR
설명 DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 238,212
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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BYW36-TR 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYW36-TR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BYW36-TR, BYW36-TR 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 120.01 KB)
PDFBYW35-TR 데이터 시트 표지
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BYW36-TR 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)200ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스SOD-57, Axial
공급자 장치 패키지SOD-57
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

JANTX1N6843CCU3

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/681

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.27V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

275pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

SMD

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

CRS20I40A(TE85L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

35pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

S-FLAT (1.6x3.5)

작동 온도-접합

150°C (Max)

IDB10S60CATMA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

140µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

480pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

SBRT25U80SLP-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

610mV @ 25A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 80V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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