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BYW83TAP

BYW83TAP

참조 용

부품 번호 BYW83TAP
PNEDA 부품 번호 BYW83TAP
설명 DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,688
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYW83TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYW83TAP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BYW83TAP, BYW83TAP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 125.32 KB)
PDFBYW85TR 데이터 시트 표지
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BYW83TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)400V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 3A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)7.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스SOD-64, Axial
공급자 장치 패키지SOD-64
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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제조업체

Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

980mV @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

40ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

SS19L M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-150UR80DL

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.47V @ 600A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AA, DO-8, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AA (DO-8)

작동 온도-접합

-40°C ~ 180°C

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFRED²™

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.32V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

MSC050SDA070S

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

700V

전류-평균 정류 (Io)

88A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 50A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 700V

커패시턴스 @ Vr, F

2034pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

D3Pak

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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