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BZD27C10P R3G

BZD27C10P R3G

참조 용

부품 번호 BZD27C10P R3G
PNEDA 부품 번호 BZD27C10P-R3G
설명 DIODE ZENER 10V 1W SUB SMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
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BZD27C10P R3G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZD27C10P R3G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZD27C10P R3G, BZD27C10P R3G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 188.73 KB)
PDFBZD27C9V1P RUG 데이터 시트 표지
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BZD27C10P R3G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)10V
공차±6%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)4 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr7µA @ 7.5V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA

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±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±2%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

250nA @ 160V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

D-5A

CMOZ10V TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±5%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-523

1N5281B BK

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 152V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

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전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±5%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

55 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 15.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

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