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BZD27C8V2P MQG

BZD27C8V2P MQG

참조 용

부품 번호 BZD27C8V2P MQG
PNEDA 부품 번호 BZD27C8V2P-MQG
설명 DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZD27C8V2P MQG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZD27C8V2P MQG
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZD27C8V2P MQG, BZD27C8V2P MQG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 188.73 KB)
PDFBZD27C9V1P RUG 데이터 시트 표지
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BZD27C8V2P MQG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)8.2V
공차±6.09%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)2 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 3V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

11 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

56V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

110 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 42.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N4970US

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제조업체

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±4.85%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 25.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF

공급자 장치 패키지

-

MMSZ5235B-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

CDLL3033

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±20%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

50 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 27.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

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