BZG05C12-HE3-TR
참조 용
| 부품 번호 | BZG05C12-HE3-TR |
| PNEDA 부품 번호 | BZG05C12-HE3-TR |
| 설명 | DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,788 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
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BZG05C12-HE3-TR 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZG05C12-HE3-TR |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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BZG05C12-HE3-TR 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 12V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 1.25W |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 9 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 500nA @ 9.1V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 200mA |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-214AC, SMA |
| 공급자 장치 패키지 | DO-214AC |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/356 전압-제너 (Nom) (Vz) 36V 공차 ±5% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 11 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 27.4V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 E, Axial 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 130V 공차 ±10% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 450 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 98.8V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-216AA 공급자 장치 패키지 DO-216AA |
