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BZM55B75-TR3

BZM55B75-TR3

참조 용

부품 번호 BZM55B75-TR3
PNEDA 부품 번호 BZM55B75-TR3
설명 DIODE ZENER 500MW MICROMELF
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $8.1376
100 ---------- $7.7561
250 ---------- $7.3747
500 ---------- $6.9933
750 ---------- $6.6754
1,000 ---------- $6.3575
재고 있음 23,652
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZM55B75-TR3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZM55B75-TR3
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZM55B75-TR3, BZM55B75-TR3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 122.53 KB)
PDFBZM55B12-TR 데이터 시트 표지
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BZM55B75-TR3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)75V
공차-
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)1.5 kOhms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 56V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스2-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지MicroMELF

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전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 11.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

27 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

B, Axial

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DO-35 (DO-204AH)

BZT52-B5V6J

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±1.96%

전력-최대

590mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

EDZTE612.0B

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

75 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2.7µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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