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BZT52B11-G RHG

BZT52B11-G RHG

참조 용

부품 번호 BZT52B11-G RHG
PNEDA 부품 번호 BZT52B11-G-RHG
설명 DIODE ZENER 11V 410MW SOD123
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가
1 ---------- $0.8315
500 ---------- $0.7925
1,000 ---------- $0.7535
2,500 ---------- $0.7146
5,000 ---------- $0.6821
10,000 ---------- $0.6496
재고 있음 58,756
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZT52B11-G RHG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZT52B11-G RHG
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZT52B11-G RHG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)11V
공차±2%
전력-최대410mW
임피던스 (최대) (Zzt)20 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

관심을 가질만한 제품

1EZ200D10E3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±10%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.9 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 152V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

BZV55-B33,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 23.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

LLDS; MiniMelf

1N4751A A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 22.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

BZX55C24-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 18V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

TZM5256B-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

49 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 23V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80 MiniMELF

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