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BZT52B22-G RHG

BZT52B22-G RHG

참조 용

부품 번호 BZT52B22-G RHG
PNEDA 부품 번호 BZT52B22-G-RHG
설명 DIODE ZENER 22V 410MW SOD123
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 6,138
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZT52B22-G RHG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZT52B22-G RHG
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZT52B22-G RHG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)22V
공차±2%
전력-최대410mW
임피던스 (최대) (Zzt)55 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 15.4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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51V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

27 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

-

1N4748AUR

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 16.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

1N6029D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

160V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.4 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 122V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1PMT4115/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 16.72V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

BZX84C4V7LT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±6%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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