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BZT52C20-HE3-08

BZT52C20-HE3-08

참조 용

부품 번호 BZT52C20-HE3-08
PNEDA 부품 번호 BZT52C20-HE3-08
설명 DIODE ZENER 20V 410MW SOD123
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,146
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 12 - 1월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZT52C20-HE3-08 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZT52C20-HE3-08
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZT52C20-HE3-08, BZT52C20-HE3-08 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 140.6 KB)
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  • BZT52C20-HE3-08 Distributor

BZT52C20-HE3-08 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)20V
공차±5%
전력-최대410mW
임피던스 (최대) (Zzt)20 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 15V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

140 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZX84C36-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±6%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 25.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1N6019A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±10%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

265 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 39V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N5955BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

180V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

900 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 136.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

BZW03C13-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±5%

전력-최대

1.85W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

4µA @ 10V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-64, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-64

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