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BZT52C36-13-G

BZT52C36-13-G

참조 용

부품 번호 BZT52C36-13-G
PNEDA 부품 번호 BZT52C36-13-G
설명 DIODE ZENER
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 2,034
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZT52C36-13-G 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZT52C36-13-G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZT52C36-13-G 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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51V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 35.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

BZT55B56-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

56V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

135 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 43V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-80 Variant

공급자 장치 패키지

SOD-80 QuadroMELF

1N5942CPE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±2%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

MTZJT-7718C

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 13V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

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TZM5226F-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.6 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80

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