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BZT52C3V0S-7-F-79

BZT52C3V0S-7-F-79

참조 용

부품 번호 BZT52C3V0S-7-F-79
PNEDA 부품 번호 BZT52C3V0S-7-F-79
설명 DIODE ZENER
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 8,550
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZT52C3V0S-7-F-79 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZT52C3V0S-7-F-79
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZT52C3V0S-7-F-79 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Microsemi

제조업체

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

87V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 66.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

BZX79-C33,133

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±5%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 700mV

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

1N5361CE3/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 19.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

1N2999RB

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

56V

공차

±5%

전력-최대

10W

임피던스 (최대) (Zzt)

16 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 42.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 2A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-213AA

JANS1N6313C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

B, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

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