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BZT52C7V5K RKG

BZT52C7V5K RKG

참조 용

부품 번호 BZT52C7V5K RKG
PNEDA 부품 번호 BZT52C7V5K-RKG
설명 DIODE ZENER 7.5V 200MW SOD523F
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 4,320
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 16 - 4월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZT52C7V5K RKG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZT52C7V5K RKG
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZT52C7V5K RKG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)7.5V
공차±5%
전력-최대200mW
임피던스 (최대) (Zzt)15 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지SOD-523F

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제조업체

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공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

B, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

1PMT5943BE3/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

56V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

86 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 42.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

1N5381AE3/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

190 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 93.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

BZT52B33S-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

1N4124

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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