BZT55B3V3 L1G
참조 용
| 부품 번호 | BZT55B3V3 L1G |
| PNEDA 부품 번호 | BZT55B3V3-L1G |
| 설명 | DIODE ZENER 3.3V 500MW MINI MELF |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,302 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BZT55B3V3 L1G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZT55B3V3 L1G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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BZT55B3V3 L1G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 3.3V |
| 공차 | ±2% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 85 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 2µA @ 1V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 10mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
| 공급자 장치 패키지 | Mini MELF |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/356 전압-제너 (Nom) (Vz) 39V 공차 ±5% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 14 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 29.7V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 E, Axial 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 12V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 30 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 9.1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지 Mini MELF |
