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BZT55C5V6 L1G

BZT55C5V6 L1G

참조 용

부품 번호 BZT55C5V6 L1G
PNEDA 부품 번호 BZT55C5V6-L1G
설명 DIODE ZENER 5.6V 500MW MINI MELF
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 6,444
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZT55C5V6 L1G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZT55C5V6 L1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZT55C5V6 L1G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)5.6V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)25 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지Mini MELF

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전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±1%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

50 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 51.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

E-MELF

공급자 장치 패키지

D-5B

YDZVFHTR12

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±10%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

TUMD2M

CLL5247B TR

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

17V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

19 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 13V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80

1N5360C/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

25V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 18V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

CZRU2V7B

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±3%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

75µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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