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BZW03C13-TAP

BZW03C13-TAP

참조 용

부품 번호 BZW03C13-TAP
PNEDA 부품 번호 BZW03C13-TAP
설명 DIODE ZENER 13V 1.85W SOD64
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,542
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZW03C13-TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZW03C13-TAP
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZW03C13-TAP, BZW03C13-TAP 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 128.21 KB)
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  • BZW03C13-TAP Distributor

BZW03C13-TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)13V
공차±5%
전력-최대1.85W
임피던스 (최대) (Zzt)2.5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr4µA @ 10V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스SOD-64, Axial
공급자 장치 패키지SOD-64

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전력-최대

10mW

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5%

전력-최대

50W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.6 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 10A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

-

전력-최대

100mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

55 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 14V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

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