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BZX384B6V8-G3-08

BZX384B6V8-G3-08

참조 용

부품 번호 BZX384B6V8-G3-08
PNEDA 부품 번호 BZX384B6V8-G3-08
설명 DIODE ZENER 6.8V 200MW SOD323
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 353,592
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZX384B6V8-G3-08 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX384B6V8-G3-08
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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BZX384B6V8-G3-08 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.8V
공차±2%
전력-최대200mW
임피던스 (최대) (Zzt)15 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

150V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

1 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 114V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

CDLL6004

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/127

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±5%

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA

공급자 장치 패키지

DO-213AA

BZT52C11-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

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패키지 / 케이스

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