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BZX55B51 A0G

BZX55B51 A0G

참조 용

부품 번호 BZX55B51 A0G
PNEDA 부품 번호 BZX55B51-A0G
설명 DIODE ZENER 51V 500MW DO35
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 3,798
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZX55B51 A0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX55B51 A0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZX55B51 A0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)51V
공차±2%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)125 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 38V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 100mA
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

40µA @ 19.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 25.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

275mW

임피던스 (최대) (Zzt)

35 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 19V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±20%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

4.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±10%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 69.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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