BZX55B51-TAP
참조 용
| 부품 번호 | BZX55B51-TAP |
| PNEDA 부품 번호 | BZX55B51-TAP |
| 설명 | DIODE ZENER 51V 500MW DO35 |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,190 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BZX55B51-TAP 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZX55B51-TAP |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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BZX55B51-TAP 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 51V |
| 공차 | ±2% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 125 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100nA @ 39V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.5V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-35 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 3.6V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 85 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 10mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 0805 (2012 Metric) 공급자 장치 패키지 0805 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 36V 공차 ±10% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 11 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 25.9V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-215AA, SMB Gull Wing 공급자 장치 패키지 SMBG (DO-215AA) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 18V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 13.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 4.3V 공차 ±2% 전력-최대 410mW 임피던스 (최대) (Zzt) 80 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
