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BZX55B6V2 A0G

BZX55B6V2 A0G

참조 용

부품 번호 BZX55B6V2 A0G
PNEDA 부품 번호 BZX55B6V2-A0G
설명 DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 2,070
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZX55B6V2 A0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX55B6V2 A0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZX55B6V2 A0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.2V
공차±2%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 100mA
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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22V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 16.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

E-MELF

공급자 장치 패키지

D-5B

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

KDZVTFTR5.1B

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제조업체

Rohm Semiconductor

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전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5.88%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±2%

전력-최대

1.3W

임피던스 (최대) (Zzt)

50 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 33V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±10%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

120 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 51.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

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