BZX55C6V8-TAP
참조 용
| 부품 번호 | BZX55C6V8-TAP | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | BZX55C6V8-TAP | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 27,604 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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BZX55C6V8-TAP 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZX55C6V8-TAP |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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BZX55C6V8-TAP 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 6.8V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 8 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100nA @ 3V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.5V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-35 |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 4.7V 공차 ±2% 전력-최대 200mW 임피던스 (최대) (Zzt) 80 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 3µA @ 2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-76, SOD-323 공급자 장치 패키지 SOD-323 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 3V 공차 ±20% 전력-최대 10mW 임피던스 (최대) (Zzt) 29 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 DO-213AB |
