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BZX85C82-TAP

BZX85C82-TAP

참조 용

부품 번호 BZX85C82-TAP
PNEDA 부품 번호 BZX85C82-TAP
설명 DIODE ZENER 82V 1.3W DO41
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $0.8431
500 ---------- $0.8036
1,000 ---------- $0.7641
2,500 ---------- $0.7246
5,000 ---------- $0.6916
10,000 ---------- $0.6587
재고 있음 25,279
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BZX85C82-TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX85C82-TAP
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZX85C82-TAP, BZX85C82-TAP 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 101.97 KB)
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  • BZX85C82-TAP Distributor

BZX85C82-TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)82V
공차±5%
전력-최대1.3W
임피던스 (최대) (Zzt)200 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 62V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±2%

전력-최대

410mW

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 17V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

3EZ15D2/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±2%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

5.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 11.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N6014B_T50A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

130 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 30V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

2EZ51D10E3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±10%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

48 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N4730G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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