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BZX85C9V1_T50A

BZX85C9V1_T50A

참조 용

부품 번호 BZX85C9V1_T50A
PNEDA 부품 번호 BZX85C9V1_T50A
설명 DIODE ZENER 9.1V 1W DO41
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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BZX85C9V1_T50A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX85C9V1_T50A
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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BZX85C9V1_T50A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차±6%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 6.5V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

75 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

40nA @ 32.3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80 MiniMELF

1N4749A_NT50A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 18.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

JANTXV1N4370DUR-1

Microsemi

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

1N3348B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

220V

공차

±5%

전력-최대

50W

임피던스 (최대) (Zzt)

85 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 121.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 10A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

MMSZ5257B-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

58 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-123

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