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C2M0080120D

C2M0080120D

참조 용

부품 번호 C2M0080120D
PNEDA 부품 번호 C2M0080120D
설명 MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
제조업체 Cree/Wolfspeed
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

C2M0080120D 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호C2M0080120D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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C2M0080120D 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈C2M™
FET 유형N-Channel
기술SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs98mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs62nC @ 5V
Vgs (최대)+25V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds950pF @ 1000V
FET 기능-
전력 손실 (최대)192W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247-3
패키지 / 케이스TO-247-3

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Vishay Siliconix

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 43W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

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BSS127H6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 16mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 8µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

28pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SIR474DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

985pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.9W (Ta), 29.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

SI7469DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 10.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4700pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5.2W (Ta), 83.3W (Tc)

작동 온도

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

230mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 230mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

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1.4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

41pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

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