C4D20120H
참조 용
| 부품 번호 | C4D20120H | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | C4D20120H | ||||||||||||||||||
| 설명 | ZRECTM 20A 1200V SIC SCHOTTKY DI | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 1,297 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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C4D20120H 리소스
| 브랜드 | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | C4D20120H |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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C4D20120H 사양
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 시리즈 | Z-Rec® |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1200V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 54A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.8V @ 20A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 0ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 200µA @ 1200V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 1.5nF @ 0V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-2 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247-2 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 45V 전류-평균 정류 (Io) 10A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 840mV @ 20A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 45V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 D2PAK 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 SMC Diode Solutions 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 2.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 SMB 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Silicon Carbide Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 650V 전류-평균 정류 (Io) 2.5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.3V @ 2.5A 속도 No Recovery Time > 500mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 0ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 650V 커패시턴스 @ Vr, F 274pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-257-3 공급자 장치 패키지 TO-257 작동 온도-접합 -55°C ~ 250°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 450mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-216AA 공급자 장치 패키지 Powermite 1 (DO216-AA) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
