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CAT5111VI-10-G

CAT5111VI-10-G

참조 용

부품 번호 CAT5111VI-10-G
PNEDA 부품 번호 CAT5111VI-10-G
설명 IC DGTL POT INTERFACE 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CAT5111VI-10-G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CAT5111VI-10-G
분류반도체데이터 컨버터 IC디지털 전위차계 IC
데이터 시트
CAT5111VI-10-G, CAT5111VI-10-G 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 199.37 KB)
PDFCAT5111YI-50-G 데이터 시트 표지
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CAT5111VI-10-G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈*
테이퍼-
구성-
회로 수-
탭 수-
저항 (옴)-
인터페이스-
메모리 유형-
전압-공급-
특징-
공차-
온도 계수 (Typ)-
저항-와이퍼 (옴) (통상)-
작동 온도-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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인터페이스

I²C

메모리 유형

Non-Volatile

전압-공급

±5V

특징

Selectable Address

공차

±20%

온도 계수 (Typ)

±300ppm/°C

저항-와이퍼 (옴) (통상)

150 (Max)

작동 온도

-40°C ~ 85°C

패키지 / 케이스

24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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24-SOIC

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Analog Devices

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Analog Devices Inc.

시리즈

-

테이퍼

Linear

구성

Potentiometer

회로 수

1

탭 수

64

저항 (옴)

50k

인터페이스

I²C

메모리 유형

OTP

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

특징

Selectable Address

공차

±30%

온도 계수 (Typ)

35ppm/°C

저항-와이퍼 (옴) (통상)

60

작동 온도

-40°C ~ 125°C

패키지 / 케이스

SOT-23-8

공급자 장치 패키지

SOT-23-8

MCP4161T-104E/MF

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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테이퍼

Linear

구성

Potentiometer

회로 수

1

탭 수

257

저항 (옴)

100k

인터페이스

SPI

메모리 유형

Non-Volatile

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

특징

-

공차

±20%

온도 계수 (Typ)

150ppm/°C

저항-와이퍼 (옴) (통상)

75

작동 온도

-40°C ~ 125°C

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (3x3)

CAT5114VI-10-GT3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

테이퍼

Linear

구성

Potentiometer

회로 수

1

탭 수

32

저항 (옴)

10k

인터페이스

Up/Down (U/D, INC, CS)

메모리 유형

Non-Volatile

전압-공급

2.5V ~ 6V

특징

-

공차

±20%

온도 계수 (Typ)

300ppm/°C

저항-와이퍼 (옴) (통상)

150

작동 온도

-40°C ~ 85°C

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AD5170BRM10

Analog Devices

제조업체

Analog Devices Inc.

시리즈

-

테이퍼

Linear

구성

Potentiometer

회로 수

1

탭 수

256

저항 (옴)

10k

인터페이스

I²C

메모리 유형

OTP

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

특징

Selectable Address

공차

±20%

온도 계수 (Typ)

35ppm/°C

저항-와이퍼 (옴) (통상)

160

작동 온도

-40°C ~ 125°C

패키지 / 케이스

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