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CAV25M01VE-GT3

CAV25M01VE-GT3

참조 용

부품 번호 CAV25M01VE-GT3
PNEDA 부품 번호 CAV25M01VE-GT3
설명 IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,040
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CAV25M01VE-GT3 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CAV25M01VE-GT3
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CAV25M01VE-GT3, CAV25M01VE-GT3 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 311.92 KB)
PDFCAV25M01YE-GT3 데이터 시트 표지
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  • CAV25M01VE-GT3 Distributor

CAV25M01VE-GT3 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수10MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급2.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Single Wire

시계 주파수

100kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

70V26L25J

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

84-PLCC (29.21x29.21)

IS45S16160J-7TLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

W25Q20EWZPIG TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

800µs

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (6x5)

CY7C1625KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

144Mb (16M x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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