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CDBB3100-G

CDBB3100-G

참조 용

부품 번호 CDBB3100-G
PNEDA 부품 번호 CDBB3100-G
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AA
제조업체 Comchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 7,920
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예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CDBB3100-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CDBB3100-G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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CDBB3100-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If850mV @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지DO-214AA (SMB)
작동 온도-접합125°C (Max)

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 85A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 9A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

400ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

600mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 600mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

MPG06

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

660mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

500pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AR, Axial

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DO-204AR

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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