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CDBJSC8650-G

CDBJSC8650-G

참조 용

부품 번호 CDBJSC8650-G
PNEDA 부품 번호 CDBJSC8650-G
설명 DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
제조업체 Comchip Technology
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 27 - 2월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CDBJSC8650-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CDBJSC8650-G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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CDBJSC8650-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)8A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 8A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F560pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220-2
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

900pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 2A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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전류-역방향 누설 @ Vr

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