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CMPFJ310 TR

CMPFJ310 TR

참조 용

부품 번호 CMPFJ310 TR
PNEDA 부품 번호 CMPFJ310-TR
설명 IC JFET P-CH SOT23-3
제조업체 Central Semiconductor Corp
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재고 있음 4,212
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CMPFJ310 TR 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CMPFJ310 TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
CMPFJ310 TR, CMPFJ310 TR 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 307.35 KB)
PDFCMPFJ310 TR 데이터 시트 표지
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CMPFJ310 TR 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)25V
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)24mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대350mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

6.5mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

400mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8.2pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

600µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

10mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

180mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

200 Ohms

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23 (TO-236AB)

J175

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

125 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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900µA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

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