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CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S160B

참조 용

부품 번호 CPMF-1200-S160B
PNEDA 부품 번호 CPMF-1200-S160B
설명 MOSFET N-CHANNEL 1200V 28A DIE
제조업체 Cree/Wolfspeed
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재고 있음 2,052
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CPMF-1200-S160B 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CPMF-1200-S160B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
CPMF-1200-S160B, CPMF-1200-S160B 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 606.75 KB)
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  • CPMF-1200-S160B Distributor

CPMF-1200-S160B 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈Z-FET™
FET 유형N-Channel
기술SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)28A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs220mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs47.1nC @ 20V
Vgs (최대)+25V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds928pF @ 800V
FET 기능-
전력 손실 (최대)202W (Tj)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지Die
패키지 / 케이스Die

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Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.92mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 180µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

231W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-7-3

패키지 / 케이스

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

118nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 25V

FET 기능

Temperature Sensing Diode

전력 손실 (최대)

272W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-426

패키지 / 케이스

TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

NTBV45N06T4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1725pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPA95R1K2P7XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

950V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 140µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

478pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

27W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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공급자 장치 패키지

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-

FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.06V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.5pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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