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CRS20I30A(TE85L,QM

CRS20I30A(TE85L,QM

참조 용

부품 번호 CRS20I30A(TE85L,QM
PNEDA 부품 번호 CRS20I30A-TE85L-QM
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 2A SFLAT
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CRS20I30A(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CRS20I30A(TE85L,QM
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • CRS20I30A(TE85L,QM Distributor

CRS20I30A(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If490mV @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr60µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F50pF @ 10V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123F
공급자 장치 패키지S-FLAT (1.6x3.5)
작동 온도-접합150°C (Max)

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

120pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

MBRH20020L

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

200A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-67

공급자 장치 패키지

D-67

작동 온도-접합

-

RA506-BP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

50A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 50A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

3µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

RA

공급자 장치 패키지

RA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

UF5404-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

75pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S1G R3G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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