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CRZ22(TE85L,Q,M)

CRZ22(TE85L,Q,M)

참조 용

부품 번호 CRZ22(TE85L,Q,M)
PNEDA 부품 번호 CRZ22-TE85L-Q-M
설명 X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 7,488
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CRZ22(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CRZ22(TE85L,Q,M)
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
CRZ22(TE85L, CRZ22(TE85L 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 289.72 KB)
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  • CRZ22(TE85L,Q,M) Distributor

CRZ22(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)22V
공차±10%
전력-최대700mW
임피던스 (최대) (Zzt)30 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 16V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 200mA
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123F
공급자 장치 패키지S-FLAT (1.6x3.5)

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56V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 43V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

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SOD-123

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 47.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 14.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-213AA

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Diodes Incorporated

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±7%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1PMT5940B/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

53 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 32.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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