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CSD16323Q3

CSD16323Q3

참조 용

부품 번호 CSD16323Q3
PNEDA 부품 번호 CSD16323Q3
설명 MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
제조업체 Texas Instruments
단가 견적 요청
재고 있음 575,178
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CSD16323Q3 리소스

브랜드 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CSD16323Q3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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CSD16323Q3 사양

제조업체
시리즈NexFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)21A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)3V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.4nC @ 4.5V
Vgs (최대)+10V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1300pF @ 12.5V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

146nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3247pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

AO4498L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOIC

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SSM3J35AFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVII

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

42pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SSM

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

STB25NM50N

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

84nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2565pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

160W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRL3715ZCSTRLP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.55V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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